Proces wytwarzania paneli fotowoltaicznych jest stosunkowo prosty, ponieważ nie wymaga wykorzystania wielu złożonych lub ruchomych części. Ze względu na specyficzną charakterystykę systemów fotowoltaicznych, mają one często stosunkowo długie okresy żywotności, od 10 do 30 lat. Aby zwiększyć moc elektryczną systemu, producent musi po prostu dodać więcej elementów fotowoltaicznych. Zazwyczaj koszty spadają wraz ze wzrostem produkcji.

Krystaliczne panele krzemowe

Mimo że wiele różnych systemów gwarantuje skuteczność, krystaliczne panele krzemowe stanowią około 90% globalnej produkcji. To przede wszystkim dzięki nim dostarczana jest niedroga energia elektryczna dla firm i osób prywatnych. Produkcja paneli odbywa się na kilku etapach. Po pierwsze, polisilikon jest przetwarzany z wydobywanego kwarcu, aż do osiągnięcia pożądanej czystości. Następnie dodaje się niewielką ilość Boronu, elementu grupy III, aby uzyskać półprzewodnik bogaty w otwory elektronowe. Zwykle przy użyciu kryształu nasiennego wlew tego roztworu wzrasta z ciekłej polikrystalicznej.

Materiał półprzewodnikowy

Wafle materiału półprzewodnikowego są wycinane z materiału masowego za pomocą piły taśmowej oraz oczyszczane poprzez trawienie powierzchni. Następnie wafle umieszcza się w piecu do wytopu fosforu, który tworzy bardzo cienką warstwę elementu grupy V, tworzącej półprzewodnikową powierzchnię N. Aby zmniejszyć straty energii, na powierzchnię dodano powłokę antyrefleksyjną wraz z kontaktami elektrycznymi. Na koniec ogniwa są łączone poprzez obwód elektryczny zgodnie ze specyfikacją oraz przygotowywane do wysyłki i instalacji.

Inne systemy fotowoltaiczne

Krystaliczne panele krzemowe jest tylko jednym z typów systemów fotowoltaicznych. Chociaż stanowią one większość wytwarzanych obecnie ogniw słonecznych, istnieje wiele nowych i obiecujących technologii, które mogą potencjalnie zostać zwiększone w celu zaspokojenia przyszłych potrzeb energetycznych. Dotyczy to chociażby cienkowarstwowych paneli fotowoltaicznych, wytwarzanych poprzez osadzanie warstw półprzewodnikowych na podłożu w próżni.